問答題按制備時有無使用坩堝分為兩類,有坩堝分為?無坩堝分為?
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2.單項選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純,在進行第一次熔化過后,能不能進入第二次提純這個階段().
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時可以,有時不可以
3.單項選擇題當晶體生長的較快,內坩堝中雜質量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
4.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
5.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是().
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質譜法
D.紅外光譜分析法
最新試題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題