單項選擇題當(dāng)晶體生長的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
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1.單項選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
2.單項選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是().
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
3.單項選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,()沒有坩堝的消耗,降低了成本,同時又可減少雜質(zhì)污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
4.單項選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護氣的是().
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
5.單項選擇題在晶體凝固過程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題