單項選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,()沒有坩堝的消耗,降低了成本,同時又可減少雜質(zhì)污染長度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
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1.單項選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護氣的是().
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
2.單項選擇題在晶體凝固過程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
3.單項選擇題硅元素的原子序數(shù)是().
A.13
B.14
C.15
D.16
4.單項選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
5.單項選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
最新試題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題