問(wèn)答題一定溫度,雜質(zhì)在晶體中具有最大平衡濃度,這一平衡濃度就稱為什么?
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1.單項(xiàng)選擇題正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純,在進(jìn)行第一次熔化過(guò)后,能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段().
A、能
B、不能
C、不確定
D、有時(shí)可以,有時(shí)不可以
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快,內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少,晶體的電阻率().
A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定
3.單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是().
A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液
4.單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是().
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
5.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,()沒(méi)有坩堝的消耗,降低了成本,同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
最新試題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題