A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動(dòng)性好
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A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()