單項(xiàng)選擇題某些單晶體或多晶體陶瓷材料，在應(yīng)力作用下產(chǎn)生應(yīng)變時(shí)引起晶體電荷的不對(duì)稱分配，異種電荷向正反兩面集中，材料的晶體就產(chǎn)生電場(chǎng)和極化,這種現(xiàn)象稱為（）。

A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)


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1.單項(xiàng)選擇題Z1≠Z2≠Z3時(shí)，要使Z3有較高的透聲效果，Z3厚度應(yīng)為（）。

A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)

2.單項(xiàng)選擇題公式（）為聲壓透射率的公式。

A、tp=1＋rp
B、R=rp2
C、D=1－rp2
D、以上都不對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題垂直入射時(shí)，若Z1＞Z2（即鋼材水浸探傷時(shí)工件底面的鋼/水界面），則鋼/水界面上聲壓透射率為（）。

A、（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）
B、2Z2/（Z1＋Z2）
C、4Z1×Z2/（Z1＋Z2）2
D、[（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）]2

4.單項(xiàng)選擇題Z1≠Z2≠Z3時(shí)，要使Z3有較高的透聲效果，Z3厚度應(yīng)為（）。

A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)

5.單項(xiàng)選擇題直探頭垂直掃查“矩形鍛件”時(shí)，工件底面回波迅速降低或消失的原因是（）。

A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能

最新試題

缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出（）的相關(guān)信息。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射，相應(yīng)的可檢缺陷尺寸（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同，渦流檢測(cè)儀器一般可分為（）、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題