A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、品質(zhì)因素
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、小數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、常數(shù)
D、對(duì)數(shù)
A、(Z1Z3)1/2
B、Z1Z3
C、Z1/Z3
D、Z3/Z1
A、r/D<86%時(shí),用K=1的探頭
B、r/D≤96%時(shí),用K=2的探頭
C、r/D≤97.5%時(shí),用K=2.5的探頭
D、以上都對(duì)
A、CL:CS:CR≈1.8:2.0:1
B、CL:CS:CR≈1:1:1
C、CL:CS:CR≈1.8:1.0:0.9
D、CL:CS:CR≈1:2.0:4
A、1/2倍
B、1/4倍
C、2倍
D、4倍
最新試題
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。