A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
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A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
A、平放
B、直立
C、堆放
D、任意放置
A、鉛增感屏?xí)a(chǎn)生可見光和熒光
B、鉛屏可吸收散射線
C、防止背散射造成膠片灰霧
D、鉛屏受X射線和γ射線照射會發(fā)生二次電子
最新試題
直接射向缺陷的波就是()
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時,如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時波高的()
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
在遠(yuǎn)場區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時,缺陷波高與缺陷面積成()
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
各類渦流檢測儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。