A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
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A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
A、產(chǎn)生射線照相底片對(duì)比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
A、平放
B、直立
C、堆放
D、任意放置
最新試題
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
無損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。