單項(xiàng)選擇題二極管或門(mén)的兩輸入信號(hào)AB＝（）時(shí)，輸出為低電平。
A.00
B.01
C.10
D.11
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1.單項(xiàng)選擇題二極管與門(mén)的兩輸入信號(hào)AB＝（）時(shí)，輸出為高電平。
A.00
B.01
C.10
D.11
2.單項(xiàng)選擇題硅開(kāi)關(guān)二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降為（）。
A.0.5V
B.0.7V
C.0.1V
D.0.3V
3.單項(xiàng)選擇題在函數(shù)F=AB+CD的真值表中，F(xiàn)=1的狀態(tài)共有（）個(gè)。
A.2
B.4
C.7
D.16
4.單項(xiàng)選擇題2005個(gè)1連續(xù)異或的結(jié)果是（）。
A.o
B.1
C.不唯一
D.邏輯概念錯(cuò)誤
5.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)開(kāi)關(guān)控制一盞燈，只有兩個(gè)開(kāi)關(guān)都閉合時(shí)燈才不亮，則該電路的邏輯關(guān)系是（）。
A.與非
B.或非
C.同或
D.異或
最新試題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是（）
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7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
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10-4線(xiàn)優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
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小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線(xiàn)數(shù)n的關(guān)系一般為（）
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電可擦除的PROM器件是（）
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TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是（）
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27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
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基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱(chēng)為（）觸發(fā)器。
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DRAM4164有2根片選線(xiàn)（RAS和CAS）、8根地址線(xiàn)和1根數(shù)據(jù)線(xiàn)。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
題型：?jiǎn)柎痤}