A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
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A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
最新試題
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個。
利用2個74LS138和1個非門,可以擴(kuò)展得到1個()線譯碼器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
電可擦除的PROM器件是()
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計方案是最佳嗎?簡述理由。