A.相對(duì)法需要一個(gè)已知活度的源作參照
B.使用相對(duì)法測(cè)量更加簡(jiǎn)便，所以是活度測(cè)量的基本方法
C.絕對(duì)法復(fù)雜一些，要結(jié)合各種實(shí)際的情況因素進(jìn)行考慮
D.為保證結(jié)果的精確性，使用絕對(duì)法測(cè)量時(shí)可以多次測(cè)量進(jìn)行分析
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A.源的活度和能量是常見的輻射探測(cè)目標(biāo)
B.測(cè)量源的位置與遠(yuǎn)近距離可以用在輻射成像等領(lǐng)域上
C.暫時(shí)無(wú)法通過(guò)測(cè)量的信息分析入射粒子的種類
D.可以測(cè)量粒子的飛行時(shí)間
A.HPGe和Ge（Li）用于組成γ譜儀，Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測(cè)
B.Si（Li）探測(cè)器可以作低能量的γ射線和X射線測(cè)量
C.Si（Li）探測(cè)器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測(cè)，因?yàn)樗有驍?shù)低，反散射小
D.Si（Li）探測(cè)器也適合測(cè)量高能γ射線
A.電流脈沖寬度約為μs量級(jí)
B.反符合技術(shù)有助于提高探測(cè)器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測(cè)器的相對(duì)探測(cè)效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開方，求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計(jì)漲落、漏電流和噪聲均會(huì)造成探測(cè)器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來(lái)的漲落可以通過(guò)適當(dāng)提高偏置電壓減小
A.平面型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
B.信號(hào)脈沖上升時(shí)間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的位置有關(guān)
C.同軸型探測(cè)器，吸收位置不同但是輸出信號(hào)基本相同
D.輸出電壓脈沖信號(hào)是前沿不變的
最新試題
對(duì)偶然符合描述正確的是（）。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法，下列描述錯(cuò)誤的是（）。
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是（）。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響，描述錯(cuò)誤的是（）。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法？（）
關(guān)于加速器中子源，描述錯(cuò)誤的是（）。
改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測(cè)產(chǎn)生明顯影響？（）
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是（）。
下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。