最新試題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題