名詞解釋反向有源
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MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題