名詞解釋分布反轉
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晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題