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最新試題
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
本征吸收
猝滅劑
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
光生伏特效應(yīng)
本征光電導(dǎo)
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
光電導(dǎo)效應(yīng)
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。