最新試題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項選擇題
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
題型：判斷題
等離子體
題型：名詞解釋
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：單項選擇題