指（自旋運(yùn)動的）原子核在磁場中能級分裂，對高頻輻射產(chǎn)生共振吸收的物理現(xiàn)象。
模擬集成電路的最大特點(diǎn)在于其輸入、輸出信號是連續(xù)變化的，這就決定了模擬集成電路測試的復(fù)雜性，和多樣性。
最新試題
內(nèi)光電效應(yīng)
本征光電導(dǎo)
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級
光電導(dǎo)效應(yīng)
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
光生伏特效應(yīng)