最新試題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題