最新試題
什么是MOS器件的體效應?
題型:問答題
半導體工藝技術中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
試用電導率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設計1kΩ的電阻,設電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
設計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題