制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對齊
PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS 溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸
（1）跨導(dǎo)相對低； （2）閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度； （3）驅(qū)動電流?。?br /> （4）閾值電壓變化大。
HEMT有源層中，沒有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路
因為In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
最新試題
凸點的制作技術(shù)有（）。
下列屬于BGAA形式的是（）。
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
塑封料的機械性能包括的模量有（）。
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
電子封裝是指對電路芯片進行包裝，進而保護電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
以下不屬于打碼目的的是（）。
下面不屬于QFP封裝改進品質(zhì)的是（）。
下面關(guān)于BGA的特點，說法錯誤的是（）。