男女扒开双腿猛进入免费视频,成人无码区免费AⅤ片WWW软件

問(wèn)答題MOS晶體管的本征電容通常是指哪幾部分電容？MOS晶體管的寄生電容通常是指哪幾部分電容？

1.問(wèn)答題形成SOI材料的主要技術(shù)有哪些？

注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。

2.問(wèn)答題輸入緩沖器的作用是什么？

作為電平轉(zhuǎn)換的接口電路和改善輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。

3.問(wèn)答題N+埋層的作用是什么？

減小晶體管集電區(qū)串聯(lián)電阻和減弱寄生PNP管效應(yīng)。

4.問(wèn)答題NMOS晶體管可分為哪種類(lèi)型？

增強(qiáng)型NMOS和耗盡型NMOS。

5.問(wèn)答題集成電路的加工過(guò)程的基本操作是什么？

形成某種材料的薄膜；在各種材料的薄膜上形成需要的圖形；通過(guò)摻雜改變材料的電阻率或雜質(zhì)類(lèi)型。