問(wèn)答題常用半導(dǎo)體材料的晶體生長(zhǎng)方向有幾種？
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1.問(wèn)答題什么是單晶、多晶？
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3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述P型半導(dǎo)體。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述N型半導(dǎo)體。
5.問(wèn)答題半導(dǎo)體材料的特征有哪些？
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題