最新試題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題