單項(xiàng)選擇題電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)是指（）。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)的相位相同
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1.單項(xiàng)選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
2.問(wèn)答題硝酸（HNO3）。
3.問(wèn)答題鹽酸（HCl）。
4.問(wèn)答題氫氧化鈉。
5.問(wèn)答題硅酸鹽。
最新試題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
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第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
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（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
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柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
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MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
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MOS管閾值電壓的單位是eV。
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MOS的輸出特性曲線(xiàn)中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題