單項選擇題若某半導體導帶中電子出現(xiàn)幾率為零,則此半導體必定()。
A.處于絕對零度
B.不含任何雜質(zhì)
C.不含任何缺陷
D.不含施主
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1.單項選擇題II-VI族化合物中的M空位Vm是()。
A.點陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點缺陷
C.點陣中的點陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯
2.單項選擇題電子在晶體中的共有化運動是指()。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應點出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應點的相位相同
3.單項選擇題最小電導率出現(xiàn)在()型半導體。
A.n
B.p
C.本征
4.問答題硝酸(HNO3)。
5.問答題鹽酸(HCl)。
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題