已知晶體管工作在線性放大區(qū)，并測(cè)得個(gè)電極對(duì)地電位如圖所示。試畫(huà)出各晶體管的電路符號(hào)，確定每管的b、e、c極，并說(shuō)明是鍺管還是硅管。
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?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開(kāi)始和結(jié)束方式是（）。
CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號(hào)幾乎與柵極輸入信號(hào)變化一致，因此被稱為“源極跟隨器”。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來(lái)自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門(mén)級(jí)原型的符號(hào)有（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）