單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí),各接腳區(qū)的摻雜濃度為()

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B


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2.單項(xiàng)選擇題若晶體管位于截止區(qū),則電壓特性為()

A.VEB順偏,VCB順偏
B.VEB順偏,VCB逆偏
C.VEB逆偏,VCB逆偏
D.VEB逆偏,VCB順偏

3.單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)(active-region),則()

A.基射接面需順偏,基集接面需順偏
B.基射接面需順偏,基集接面需反偏
C.基射接面需反偏,基集接面需順偏
D.基射接面需反偏,基集接面需反偏