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問(wèn)答題 電路如圖所示，已知晶體管的r_e=10Ω，r_bb=100Ω，r_ce=∞，β=100，C_be=100pF，C_bc=3pF。
（1）試畫(huà)出電路的高頻等效電路。
（2）利用密勒近似求上限頻率f_H。

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1.問(wèn)答題 已知某晶體管電流放大倍數(shù)的頻率特性波特圖如圖所示，試寫(xiě)出β的頻率特性表達(dá)式，分別指出該管的ω_β、ω_T各為多少？并畫(huà)出其相頻特性的近似波特圖。

2.問(wèn)答題 下圖電路中JFET共源放大電路的元器件參數(shù)如下：在工作點(diǎn)上的管子跨g_m=1mS，r_ds=200kΩ，R₁=300kΩ，R₂=100kΩ，R₃=1MΩ，R₄=10kΩ，R₅=2kΩ，R₆=2kΩ，試估算放大電路的電壓增益、輸入電阻、輸出電阻。

參考答案：

3.問(wèn)答題 在如圖（a）和（b）所示電路中。
（1）已知JFET的I_DSS=5mV，U_GS（off）=-5V。試求I_DQ、U_GSQ和U_DSQ的值。
（2）已知MOSFET的，U_GS（th）=2.5V。試求I_DQ、U_GSQ和U_DSQ的值。

參考答案：

4.問(wèn)答題 已知各FET各極電壓如圖所示，并設(shè)各管的U_GS（th）=2V。試分別判別其工作狀態(tài)（可變電阻區(qū)，恒流區(qū)，截止區(qū)或不能正常工作）。

參考答案：圖（a）中，N溝增強(qiáng)型MOSFET，U_GS=3V＞U_GS（th）=2V，U<...

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5.問(wèn)答題 三級(jí)放大電路如圖所示。設(shè)晶體管V₁~ V₃的β=49，U_BE（on）=0.7V，r_ce=∞，r_bb=0，D₁和D₂的直流壓降為0.7V。已知靜態(tài)I_EQ3=3mA。各電容對(duì)交流信號(hào)可視作短路。
（1）試求各管的靜態(tài)集電極電流I_CQ。
（2）計(jì)算電壓放大倍數(shù)，輸入電阻Ri和輸出電阻R_o。

參考答案：