填空題晶體管中的少子在渡越（）的過(guò)程中會(huì)發(fā)生（），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題