單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm


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2.單項(xiàng)選擇題如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌

3.單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是

4.單項(xiàng)選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法

5.多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法