多項(xiàng)選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，電路速度可增加α倍
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2.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
3.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
4.單項(xiàng)選擇題下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
5.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
最新試題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題