多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括()。
A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
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1.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有()。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
2.單項(xiàng)選擇題下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
3.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
4.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用()。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
5.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有()。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題