單項(xiàng)選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
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1.多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
2.單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
3.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長(zhǎng)工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行,以下不屬于物理氣相淀積工藝的為()。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
4.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中,溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括()。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
5.單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化,溫度變化的速率是()。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒(méi)有關(guān)系
D.固定的
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
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摻雜后,退火的目的是()。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
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光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題