多項選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
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1.單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
2.單項選擇題硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
3.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
4.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細菌
5.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
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進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個?()
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題型:單項選擇題
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題型:多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
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題型:多項選擇題