單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
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1.單項選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
2.單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
3.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
4.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
5.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題