判斷題碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

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1.多項(xiàng)選擇題CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

A.工藝實(shí)現(xiàn)存在問(wèn)題
B.源漏耗盡區(qū)寬度不可能按比例縮小
C.閾值電壓不可能縮的太小
D.電源電壓標(biāo)準(zhǔn)的改變會(huì)帶來(lái)很大的不便

2.多項(xiàng)選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，電路速度可增加α倍

4.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接

5.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。

A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度