多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
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1.單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
2.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行,以下不屬于物理氣相淀積工藝的為()。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
3.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中,溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括()。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
4.單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化,溫度變化的速率是()。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
5.多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試,以下屬于電學(xué)測試的為()。
A.電流
B.電場強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:單項(xiàng)選擇題