多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試,以下屬于電學(xué)測試的為()。
A.電流
B.電場強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
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1.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法,屬于破壞性測試的為()。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
2.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應(yīng)使用()。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
3.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括()。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
4.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
5.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
最新試題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
題型:單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個?()
題型:多項(xiàng)選擇題