單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行,以下不屬于物理氣相淀積工藝的為()。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
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1.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中,溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括()。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
2.單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化,溫度變化的速率是()。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
3.多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測試包括功能測試和參數(shù)測試,以下屬于電學(xué)測試的為()。
A.電流
B.電場強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
4.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法,屬于破壞性測試的為()。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
5.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應(yīng)使用()。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
最新試題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型:判斷題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:單項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:單項(xiàng)選擇題