k频道网址国产精品入口,亚洲综合缴情综偷拍自,中文字幕av无码手机版

填空題為了避免短溝道效應，可采用按比例縮小法則，當MOSFET的溝道長度縮短一半時，其溝道寬度應（），柵氧化層厚度應（），源、漏區(qū)結(jié)深應（），襯底摻雜濃度應（）。

1.填空題在長溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（）。

2.填空題閾電壓V的短溝道效應是指，當溝道長度縮短時，V變（）。

3.填空題為提高跨導g的截止角頻率ω，應當（）μ，（）L，（）V。

4.填空題MOSFET的跨導的定義是（），反映了（）對（）的控制能力。

5.填空題由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（）。