問(wèn)答題解釋亮場(chǎng)掩膜版和暗場(chǎng)掩膜版。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別?
3.問(wèn)答題解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么?
4.問(wèn)答題描述硅片偏置對(duì)HDPCVD方向性的影響。
5.問(wèn)答題解釋HDPCVD,它在IC中有什么優(yōu)勢(shì)?
最新試題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題