A.高次諧波頻率高
B.基波成分多
C.諧波少
D.基波成分少
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A.T1>T2
B.T1>>T2
C.T1<<T2
D.T1<T2
A.放大和飽和
B.飽和和截止
C.放大和截止
A.近似三角波
B.尖峰波
C.矩形波
D.正弦波
A.矩形波
B.尖峰波
C.近似三角波
D.正弦波
A.不能跳變
B.可以跳變
C.充放電時(shí)按指數(shù)規(guī)律減小
D.充電時(shí)增加，放電時(shí)減小
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
?verilog語法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)？?（）
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。