最新試題
光刻中采用步進掃描技術獲得了什么好處？
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。
描述電子回旋共振（ECR）。
解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
