半導體材料章節(jié)練習(2019.07.09)
來源：考試資料網
參考答案：
為了減小電壓擊穿效應，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。
參考答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產生立體... 參考答案：簡單的說，層錯是在密排晶面上缺少或多余一層原子而構成的缺陷，層錯是一種“面缺陷”。層錯也是硅晶體中常見的一種缺陷，層錯對... 參考答案：（1）振動頻率與紅外光譜段的某段頻率相等。
（2）偶極距的變化。 參考答案：
認為從中性半導體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個突然的不連續(xù)。
參考答案：腐蝕液的成分、電極電位、緩沖劑的影響、腐蝕處理的溫度和攪拌的影響、光照的影響。 參考答案：可分為高頻光電導和直流光電導；高頻光電導的優(yōu)點，無須切割成一定的幾何形狀，樣品較少受到污染，測試方法簡單，得到廣泛應用。... 參考答案：當半導體中摻有受主雜質時，主要靠受主提供空穴導電，這種依靠空穴導電的半導體叫做P型半導體。
例如：硅中摻有Ⅲ...
