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每日一練
章節(jié)練習(xí)
集成電路技術(shù)綜合練習(xí)問答題每日一練(2020.05.05)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問答題
什么是器件的亞閾值特性,對(duì)器件有什么影響?
參考答案:
器件的亞閾值特性是指在分析MOSFET時(shí),當(dāng)Vgs
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2.問答題
MOS管的主要噪聲是什么?分別是如何產(chǎn)生的?如何減?。?/a>
參考答案:
熱噪聲、閃爍噪聲;
熱噪聲是由溝道內(nèi)載流子的無(wú)規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)造成,閃爍噪聲由溝道處SiO2與Si界面上電子的充放電...
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3.問答題
PN結(jié)隔離SBC結(jié)構(gòu)工藝流程是什么?
參考答案:
襯底材料制備;埋層的形成;N型外延層的形成;隔離區(qū)的形成;晶體管基區(qū)的形成;晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成;金屬化的形成。
4.問答題
目前主流集成電路設(shè)計(jì)特征尺寸已經(jīng)達(dá)到多少?預(yù)計(jì)2016年能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的特征尺寸是多少?
參考答案:
主流0.18um22nm
5.問答題
為什么MOS晶體管會(huì)存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分(不考慮溝道調(diào)制效應(yīng))?
參考答案:
晶體管開通后,其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí),隨著漏源電壓的值的增大,溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增加,電流隨之增大,...
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