按襯底材料有Si，GaAs，InP按場形成結(jié)構(gòu)有J/MOS/MES按載流子類型有P/N按溝道形成方式區(qū)分有E/D
發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運與復(fù)合和集電區(qū)的收集
雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴散電阻；MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。
HBT具有很強的電流驅(qū)動能力；適用于模擬信號的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計。
