集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2020.06.09)

來源：考試資料網

1.填空題動態(tài)邏輯實現一個N輸入邏輯門所需MOS管的個數為（）個。

2.問答題根據閾值電壓不同，常把MOS器件分為幾種？

增強型和耗盡型

3.問答題濕法刻蝕和干法刻蝕的區(qū)別？

參考答案：濕法刻蝕設備簡單、工藝操作方便，一般的常規(guī)生產均能滿足要求，但各向同性刻蝕性太強，難以控制線寬，而且刻蝕劑大多為腐蝕性較...

4.問答題為什么說柵長是MESFET的重要參數？

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

5.問答題在放大狀態(tài)下，三極管內部載流子傳輸過程是怎樣進行的？

發(fā)射結的注入、基區(qū)中的輸運與復合和集電區(qū)的收集

6.問答題MOS管尺寸縮小對器件性能有哪些影響？

參考答案：減小L和tox提高MOSFET的電流控制能力，減小W將減小輸出功率和電流控制能力，同時減小Ltox和W將保持Ids不變和...

7.問答題簡述MOS管的導電溝道是如何形成的。

是P和N半導體相互浸入形成的。
如果外部不加控制電壓就有導電溝道的是耗盡型
如果需要外部加控制電壓才有導電溝道的是增強型。

8.填空題邏輯綜合在推斷RTL部品時，將值的變化通過時鐘觸發(fā)的信號推斷為（），將與時鐘無關但某個條件下保持值不變的信號推斷為（），將某個條件下生成‘Z’的信號推斷為（），將其它的推斷為（）。

參考答案：D-FF；Latch；三狀態(tài)門；組合電路

9.問答題簡述硅單晶研磨清洗的重要性。

參考答案：硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學鍵被破壞成為懸掛鍵，形成表面附近的自由力場，極易吸附各種雜質，如顆粒...

10.問答題離子注入后為何退火？

參考答案：因為大部分注入的離子并不是以替位形式處在晶格點陣位置上，而是處于間隙位置，無電活性，一般不能提供導電性能，所以離子注入后...