A.氧化
B.還原
C.抑制
D.水解
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A.酸性溶液；
B.堿性溶液；
C.中性溶液；
D.三者均不是。
A.20分鐘
B.底片通透即可
C.通透時(shí)間的2倍
D.30分鐘
A.使未曝光的溴化銀粒子脫落；
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔，使顯影均勻，加快顯影；
C.使曝過(guò)光的溴化銀加速溶解；
D.以上全是。
A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)；
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間；
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距；
D.底片黑度、曝光量、焦距。
最新試題
X射線(xiàn)檢驗(yàn)人員負(fù)責(zé)對(duì)需排除的超標(biāo)缺陷實(shí)施定位、做好相應(yīng)標(biāo)注，確保定位準(zhǔn)確。
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品，工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定，檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn)，檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn)，否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
缺陷分類(lèi)應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求，標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線(xiàn)照相檢驗(yàn)范疇的缺陷，必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考，但不作為合格與否判定的依據(jù)。
廢舊藥液應(yīng)采用專(zhuān)用容器收集，定期送指定的機(jī)構(gòu)處理。
一次完整的兩面多層補(bǔ)焊，當(dāng)正面打底層質(zhì)量進(jìn)行過(guò)一次X射線(xiàn)檢測(cè)，若反面還需打底，則無(wú)需X射線(xiàn)檢測(cè)。
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中，錯(cuò)誤的是（）。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見(jiàn)的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無(wú)需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
為了提高射線(xiàn)照相對(duì)比度，可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。
底片或電子圖片、X射線(xiàn)照相檢驗(yàn)記錄、射線(xiàn)檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
射線(xiàn)檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是（），必須嚴(yán)加控制。