問答題什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？
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理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題